Компьютерное железо
09.09.02 Ограничения скорости для Pentium 4 могут принести пользу AMDСамый новый план по выпуску процессоров Intel предупреждает производителей системных плат, что с выходом Pentium 4 3,06 ГГц в четвертом квартале ядро Northwood обретет несколько новое конструктивное исполнение.
Это конструктивное изменение может быть вполне связано с некоторыми существенными ошибками в процессоре, о которых уже сообщалось ранее.
Но с выходом процессоров AMD XP на ядре Barton с 512 Кб кэша, Intel может дать компании AMD реальный шанс захватить лидерство по тактовой частоте, независимо от того, будет ли представлен процессор Clawhammer в четвертом квартале этого года или первом квартале следующего.
Фактически, планы по выпуску процессоров только показывают возможность Intel достигнуть частот около 3,20 ГГц для процессоров Pentium 4, и AMD вполне сможет набраться новых сил в постоянной гонке мегагерц, в которой участвуют обе фирмы.
Проблема состоит в том, что когда внутренняя частота процессора достигнет 6 ГГц (а это произойдет при 3,06 ГГц, потому что блоки сложения процессора работают на удвоенной частоте и выполняют вычисление за один конвейерный цикл), Intel будет должна перепроектировать конструкцию ядра процессора Pentium 4, чтобы сохранить его жизнеспособность. Но данная задача настолько сложна, что для достижения частот, запланированных фирмой на 2005 год, вероятно более реально будет запустить в производство процессор другого дизайна, чем переработать все внутренности существующего.
Те же самые планы по выпуску процессоров Intel показывают, что компания должна перейти на 90-нм техпроцесс для Pentium 4, чтобы достигнуть более высоких тактовых частот. В это время некоторые люди предполагают, что Intel может продемонстрировать машины, работающие на значительно более высоких частотах на Intel Developer Forum в Сан-Хосе на этой неделе.
Предположение также состоит в том, что частоты Barton могут быть значительно увеличены за последующие три - шесть месяцев, отдавая AMD пальму первенства и также позволяя им перейти на ядро Clawhammer - лидера производительности.
Можно с уверенностью сказать, что Intel сможет перейти на 90-нм технологию, но процессоры Pentium 4 с 90-нм ядром должны без сомнения стать последними моделями с этой конкретной версии ядра.
Источник: CNews
09.09.02 Скорость передачи данных по оптоволокну вырастет в сотни разВ настоящее время обычные оптоволоконные линии связи позволяют передавать данные на расстояние до нескольких километров со скоростью около 10 Гбит/с. Новая методика позволит повысить скорость передачи данных ориентировочно до 2 Терабит в секунду.
Для повышения полосы пропускания линии связи предлагается одновременно передавать данные на нескольких несущих частотах, а также использовать поляризацию света. Подобные методики уже используются для передачи огромных массивов данных по межконтинентальным линиям связи, в которых используется оптоволокно сверхвысокого качества. Адаптация методики, позволяющая использовать ее на обычных оптоволоконных линиях, позволит резко повысить скорость передачи данных по ним без замены самой кабельной линии; потребуется лишь модернизировать оборудование, установленное на обоих ее концах.
По мнению одного из разработчиков технологии, Ричарда Пенти (Richard Penty) из Кембриджского университета, скорость удастся без особого труда повысить до значений, составляющих 100 Гбит/с и выше. Однако высокая стоимость оборудования, позволяющего перейти на терабитные скорости, может помешать его широкому внедрению. Технология нуждается в дальнейшем совершенствовании, однако главное уже ясно - полоса пропускания обычного оптоволоконного кабеля может быть существенно увеличена.
Источник: CNews
09.09.02 Алмазная электроника готова вытеснить кремниевуюБританские и шведские ученые из компаний DeBeers Industrial Diamonds (г. Аскот, Великобритания) и Innovative Materials Group (г. Вастерас, Швеция) научились создавать синтетические алмазные пленки, каждая из которых представляет собой один кристалл, в который может быть введено необходимое количество примесей, позволяющих получить материал с заданными свойствами.
Новое достижение в области технологии позволит создать электронные компоненты из алмазов. Они будут обладать великолепными качественными характеристиками, по сравнению с существующими - кремниевыми, и смогут найти применение в таких областях, как радиолокация и системы спутниковой связи.
Алмазы давно интересовали ученых, поскольку могут стать реальной заменой кремнию. Они прочнее и обладают большей стойкостью к воздействию высоких температур, что крайне важно для работы при больших уровнях потребления энергии и в области высоких частот. Например, кремниевые компоненты начинают работать ненадежно уже при 150oC, в то время как элементы на алмазной основе смогут функционировать при температурах, превышающих 400oC.
Как и в кремний, в алмаз можно вводить примеси, позволяющие изменить его электропроводность. Однако естественные алмазы содержат слишком много примесей, в то время как синтетические алмазы состоят из множества мелких кристалликов, границы между которыми препятствуют свободному перемещению электронов.
Для создания монокристаллической алмазной пленки была использована технология, получившая название "микроволновое плазменное осаждение паров химических элементов". Атомы углерода из газообразного метана осаждаются на подложке, образуя кристалл алмаза. В предыдущих попытках осаждения углерода на кремниевую подложку образовывалась пленка, состоящая из большого количества маленьких кристаллов. Одной из "хитростей", использованных в новой технологии, стало использование в качестве подложки также алмазной пластинки, квадратной формы размером 4 мм. Она создается из графита под действием высоких давлений и температур. Затем поверхность искусственного алмаза тщательно полируется, и на ней осаждается тонкая монокристаллическая алмазная пленка. В качестве примеси использовалось небольшое количество бора, с помощью которого алмаз из изолятора превращался в полупроводник. При исследовании пленки выяснилось, что мобильность носителей в нем значительно выше, чем в других аналогичных материалах - в частности, в карбиде углерода или нитриде галлия.
Несмотря на высокую пока что стоимость, алмазная электроника уже сейчас сможет найти применение в отдельных специализированных областях, где требуется элементная база с исключительно высокими характеристиками. Алмазные электронные компоненты радаров смогут передавать мощность в 100 раз большую, чем аналогичные кремниевые. На их основе можно создавать приборы для космических кораблей, которые смогут работать при очень высоких температурах, а также усовершенствованные дисплеи с плоскими экранными панелями. Их способность работать при высоких температурах, а также механическая прочность, позволят создать миниатюрные и быстрые микропроцессоры.
Источник: CNews
09.09.02 Создан первый в мире интегрированный многополосный лазерГолландская исследовательская группа объявила о создании устройства, которое, по заверениям самих ученых, является первым в мире интегрированным многополосным кольцевым лазером. Создатели заявляют, что новый лазер при размере 1х1,5 мм сможет работать на семи различных длинах волн, причем настройка его будет цифровой.
Устройство содержит четыре полупроводниковых оптических усилителя (semiconductor optical amplifiers, SOAs), монолитно объединенных в мультиплексор с фазированной решеткой 4Х4 (4Х4 phased-array multiplexer, PHASAR). Каждый из четырех SOA позволяет получить когерентное излучение на одной из четырех длин волн с шагом 3,2 нм. При одновременной работе двух из них образуются дополнительные каналы, позволяющие получать в итоге семь различных длин волн в диапазоне от 1538 до 1547 нм.
В кольцевом лазере в качестве резонатора используется волоконно-оптическая петля или кольцевой волновод. Ранее многополосные кольцевые лазеры удавалось создавать из дискретных компонентов, соединенных оптическим волокном, но они весьма чувствительны к его вибрациям.
Интегрированное устройство позволяет обеспечить намного большую стабильность. Пороговый ток лазера составляет 70 мА, подавление паразитных мод (sidemode suppression ratio) - 40 дБ (при накачке до 100 мА), ослабление сигнала в выходном волоконно-оптическом соединении составляет - 20 дБ. Низкая выходная мощность связана с высокими потерями в резонаторе, а также низкой эффективностью волоконно-оптического соединения.
Источник: CNews
09.09.02 Samsung избавит свои компьютеры от флоппи-дисководовНа прошлой неделе представители корейской Samsung объявили о том, что в скором времени компьютеры и ноутбуки, производимые на заводах компании, перестанут оснащаться приводами для гибких дисков. "Пользователи компьютеров практически не пользуются гибкими дисками, - заявил Чин Дэй-дже (Chin Dae-je), президент подразделения Digital Media Business, - при нынешней популярности приводов компакт-дисков или карт флэш-памяти оснащать компьютеры устаревшими дисководами просто бессмысленно". По мнению аналитиков, многие производители персоналок и ноутбуков с удовольствием последуют за Samsung в этом начинании, поскольку компания является в своем роде "законодателем мод" в области высоких технологий. Кроме этого, специалисты считают, что производство приводов для гибких дисков и оснащение ими компьютеров становится экономически невыгодно.
Источник: CNews